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Criada memória não-volátil de plástico de baixíssimo custo

Pesquisadores da Universidade de Groningen, na Holanda, desenvolveram um componente eletrônico ferroelétrico que permitirá a construção de memórias não-voláteis de baixíssimo custo, com potencial para substituir as memórias Flash.

O componente é um diodo orgânico flexível, que pode ser fabricado por impressão, em vez dos tradicionais métodos de fotolitografia, o que o tornará muito mais barato.

Memória para etiquetas RFID

Segundo os pesquisadores, as novas memórias serão ideais para equipar etiquetas RFID, que começam a ser utilizadas na substituição dos códigos de barras para monitoramento e rastreamento de produtos. Hoje essas etiquetas possuem memórias muito pequenas, na maioria das vezes suficiente para armazenar apenas um código numérico único de 128 bits.

O desenvolvimento do diodo foi feito em parceria com a empresa Philips e é um avanço em relação a um desenvolvimento anterior, feito em 2005 (veja Philips desenvolve nanomemória não volátil).

Transístor plástico

Em 2005 os pesquisadores criaram a nanomemória não-volátil integrando um polímero ferroelétrico sobre um transístor orgânico, feito de material plástico, criando uma memória conhecida como memória por alteração de fase.

Quando tentaram levar sua nanomemória para a linha de produção, contudo, os pesquisadores descobriram que os três terminais do transístor tornavam o processo produtivo muito complicado, anulando os ganhos de eficiência do material.

Diodo ferroelétrico

Então eles passaram a pesquisar como construir a mesma memória, com a mesma funcionalidade, mas utilizando um componente mais simples do que o transístor. Esse componente é o diodo, que tem apenas duas conexões.

A descoberta veio quando o pesquisador Kamal Asadi deixou de lado a idéia de empilhar as camadas semicondutoras e ferroelétricas e resolver fazer uma “sopa” com os dois materiais. O comportamento da parte ferroelétrica do composto mostrou-se totalmente suficiente para controlar a corrente contínua que flui através da parte semicondutora do material híbrido.

Célula de memória

O novo diodo, que é uma célula de memória, pode ser programado rapidamente, retém os dados na ausência de energia e funciona a temperatura ambiente.

As tensões necessárias para a gravação dos bits nos diodos de memória são baixas o suficiente para viabilizar a utilização comercial em conjunto com as etiquetas RFID, mas sem se limitar a essa aplicação em particular, podendo potencialmente serem utilizados em todas as aplicações que hoje utilizam as memórias Flash.


Bibliografia:
Organic non-volatile memories from ferroelectric phase-separated blends
Kamal Asadi, Dago M. de Leeuw, Bert de Boer, Paul W. M. Blom
Nature Materials
15 June 2008
Vol.: Advance online publication
DOI: 10.1038/nmat2207

Fonte: Inovação Tecnológica

Memórias multi-core terão acesso paralelo aos dados

Agora que você já se acostumou com os processadores “multi-core”, prepare-se para as memórias formadas por vários núcleos. Embora o acesso a cada célula individual de memória seja maior, o rendimento total das memórias não-voláteis poderá aumentar em até 30 por cento, graças ao acesso paralelo aos dados.

Memórias multi-core

A nova arquitetura de memória de acesso paralelo, criada pelo especialista em criptografia Joseph Ashwood, quebra o gargalo do acesso serial aos bits gravados nas células das memórias atuais.

As memórias multi-core integram um circuito de controle próximo ao conjunto de células do próprio chip de memória, permitindo acesso paralelo aos dados para centenas de processos executados simultaneamente. Assim, o processador não precisa ficar esperando que um programa termine de consultar ou escrever seus dados para utilizar a memória.

Design rápido e compacto

“Nós temos uma nova forma de montagem da memória, com alguns poucos novos elementos que eu vislumbrei graças à minha experiência com criptografia. Eu estou basicamente aplicando técnicas muito avançadas de criptografia para a arquitetura das memórias, resultando em um novo design único que é muito rápido e compacto,” disse Ashwood em uma entrevista à revista EE Times.

Memórias não-voláteis

O maior interesse da nova técnica de fabricação de memórias está nas memórias não-voláteis, como as memórias Flash utilizadas em máquinas fotográficas, pen- drives e outros equipamentos portáteis. Como o acesso aos dados nessas memórias é serial, o aumento da capacidade de armazenamento tem competido com a miniaturização, impedindo a melhoria da sua velocidade de operação.

Memória de acesso paralelo

O processamento extra representado pelo circuito de gerenciamento paralelo faz com que o tempo de acesso aos bits individuais passe da faixa atual de 20 a 50 nanosegundos, para até 50 a 70 nanosegundos. Por outro lado, centenas de processos estarão rodando simultaneamente, significando que uma quantidade efetiva de dados muito maior estará sendo acessada.

A nova arquitetura de memória paralela multi-core por enquanto é apenas um projeto. Ashwood está negociando o licenciamento da tecnologia para que empresas possam fabricar os protótipos e testar as novas memórias na prática.

Fonte: inovacaotecnologica